2.png)
深圳鼎盛合科技代理中微全系列芯片产品，可为客户提供软硬件方案设计开发，并提供免费取样服务
中微半导体设备（上海）股份有限公司（证券简称“中微公司”，证券代码“688012”）是一家以中国为基地、面向全球的微观加工高端设备公司，为集成电路和泛半导体行业提供极具竞争力的高端设备和高质量的服务中微开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。
这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在彻底改变人类的生产方式和生活方式中微总部位于上海，聚焦亚洲，并为全球的客户提供技术和设备的解决方案作为制造和创新的中心，中国和亚洲具有得天独厚的优势和高速成长的市场，而这使中微有无限广阔的发展前景。
现在我们说说他的半导体设备：1.刻蚀设备系列
第一：Primo D-RIE®为65到16纳米芯片制造提供创新的刻蚀解决方案作为中微第一代电介质刻蚀产品，Primo D-RIE®是12英寸双反应台多反应腔主机系统，可灵活装置多达三个双反应台反应腔（六个反应台）。
每个反应腔都可以在单晶圆反应环境下，同时加工两片晶圆该设备运用了中微具有自主知识产权的创新技术，包括甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源、等离子体隔离环、以及用于控制腔体内反应环境的先进工艺组件Primo D-RIE刻蚀设备可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等所有的电介质材料。
Primo D-RIE于2007年发布之后，由于其较低的生产成本、较高的生产效率和卓越的芯片加工性能，该设备已在国际主流芯片生产线上投入量产产品特点双反应台腔体设计具有 更高的产出效率双反应台独立射频系统和刻蚀终端控制系统
拥有自主知识产权的射频匹配系统拥有自主知识产权的等离子体隔离技术竞争优势高生产效率，低生产成本（CoO）设备占地面积小一体整合的除胶能力及表面电荷减除能力（Primo iDEA®系统）第二：Primo AD-RIE®
为40到7纳米芯片制造提供创新的刻蚀解决方案
Primo AD-RIE®是中微第二代电介质刻蚀产品基于已被认可的Primo D-RIE®刻蚀设备，Primo AD-RIE应用了具有自主知识产权的新设计，配备了可切换双低频射频源，优化了上电极气流分布以及下电极温控系统。
为了使生产效率最大化，Primo AD-RIE系统同样可以灵活地装置多达三个双反应台反应腔（即六个反应台）Primo AD-RIE具备能够满足最新一代芯片器件制造需求的先进性能，目前已被广泛应用于40到7纳米后段制程以及10纳米前段制程的开发和量产。
此外，中微基于Primo AD-RIE开发了子系列产品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-crPrimo AD-RIE-e配备了自主研发的四区动态静电吸盘，每一制程步骤可独立进行控温，以达到更高的刻蚀均匀度和刻蚀选择比。
Primo AD-RIE-cr配备了拥有自主知识产权涂层技术的抗腐蚀反应腔，可应对电介质材料、金属及金属氧化物材料复杂结构的刻蚀要求产品特点双反应台腔体设计具有更高的产出效率双低频功率切换系统，用于制程分步骤优化
脉冲射频系统选项多区气体分配调节系统静电吸盘双区冷却装置低金属污染工艺组件选项每一步骤可独立进行控温的四区动态静电吸盘 （Primo AD-RIE-e）拥有自主知识产权涂层技术的抗腐蚀反应腔 （Primo AD-RIE-cr）
一体整合的除胶能力及表面电荷减除能力 （Primo iDEA®系统）竞争优势双低频率分步骤切换系统，以适用于更广的制程范围（特别是Trench/Via All-in-one制程）卓越的工艺可调性和稳定性，以满足先进工艺标准
高生产效率，低生产成本（CoO）扩展机型Primo AD-RIE-e, Primo AD-RIE-cr 和 Primo iDEA®，可应用于不同特殊制程第三：Primo SSC AD-RIE™为26到10纳米芯片制造提供创新的刻蚀解决方案
Primo SSC AD-RIE™是中微于2013年推出的单反应台电介质刻蚀产品，在Primo AD-RIE®产品技术和Primo平台概念的基础上，通过在一个平台上集成六个单反应台以达到产能最大化除了可独立输运气体的单反应台腔体设计以外，为应对2x纳米以下特别是接触孔刻蚀等关键制程的挑战，该设备还具有以下特性：同步脉冲射频系统、可冷却聚焦环工艺组件和甚低压气体抽运系统等。
Primo SSC AD-RIE有利于处理多层薄膜刻蚀的微负载问题、极端边缘形貌问题以及接触孔刻蚀的终端控制问题Primo SSC AD-RIE已在主流客户16纳米芯片生产线上稳定量产产品特点具有独立气体输运系统的单反应台腔体设计
多区气体调节以及双区静电吸盘温度控制高抽气率，大容量分子泵双级同步脉冲射频系统（低频和高频）可冷却聚焦环工艺组件，提升晶圆边缘性能高上下电极面积比，以应用于高深宽比结构刻蚀竞争优势高电介质材料刻蚀速率，多手段刻蚀均匀度调节
双级同步脉冲射频系统先进气体抽运系统，以进一步扩大工艺窗口中高深宽比结构刻蚀的低成本解决方案第四：Primo iDEA®为芯片刻蚀和光刻胶移除提供创新的整合解决方案
Primo iDEA®（即“双反应台刻蚀除胶一体机”）源于中微的一个新理念，即：将一个或两个双反应台D-RIE或AD-RIE工艺模块、和一个远程等离子体源除胶器（DsA）反应腔整合在同一个平台上中微的远程等离子体源除胶器采用了双反应台腔体设计，顶置的远程等离子体源（RPS）产生的活性反应物质，被均匀地输送到晶圆表面以移除光刻胶。
这种方法能够提高光刻胶移除效率，并降低等离子体直接接触晶圆的机会这对于一些客户来说尤为重要，其芯片器件对表面电荷极其敏感，存在等离子体诱发损伤（PID）的潜在风险为了解决这方面的顾虑，客户通常要付出巨大的人力和物力修改整合方案，或者为每个步骤（例如光刻胶移除）添置专用设备。
拥有Primo iDEA整合系统后，客户可以在同一个平台上灵活地进行芯片刻蚀和光刻胶移除，显著减少设备占地面积，提高生产效率Primo iDEA提供了极具成本优势的解决方案产品特点远程等离子体源高效率除胶
高效离子隔滤，以避免对器件造成等离子体诱发损伤竞争优势双反应台刻蚀与除胶整合一体机，显著减小占地面积使用Primo iDEA®系统设计以代替单独的刻蚀和除胶系统，节省成本20%以上第五：Primo HD-RIE™
为NAND和DRAM芯片制造提供创新的刻蚀解决方案
Primo HD-RIE™是中微于2015年推出的新一代电介质刻蚀产品，是在Primo SSC AD-RIETM设计基础上实现的具有六个单反应台腔体的系统，定位于为中高深宽比刻蚀提供综合解决方案该设备具有以下新特性：更高的同步脉冲射频功率、高功率高温静电托盘、气体脉冲、多区气体调节、可冷却聚焦环工艺组件和更稳定的上电极温度控制等。
Primo HD-RIE在3D-NAND及DRAM中高深宽比沟槽及深孔刻蚀上表现优异，在一些关键制程上已实现量产产品特点具有独立气体输运系统的单反应台腔体设计多区气体调节以及双区ESC温度控制高功率以及高温静电吸盘
气体脉冲双级同步脉冲射频系统，甚高功率的低频射频脉冲以提供高离子轰击能量稳定的上电极温度控制系统可冷却聚焦环以防止硅片边缘刻蚀停止高上下电极面积比，以应用于中高深宽比刻蚀竞争优势高电介质材料刻蚀速率，多手段刻蚀均匀度调节
高粒子轰击能量，以扩大高深宽比刻蚀工艺窗口气体脉冲系统，提供更灵活的工艺控制方案应对特殊工艺的高温高功率静电吸盘选项第六：Primo TSV®高性能、高产能的深硅刻蚀产品
深圳鼎盛合科技代理中微全系列芯片产品，可为客户提供软硬件方案设计开发，并提供免费取样服务
硅通孔技术已经成为先进封装应用的关键技术，应用于CMOS图像传感器、2.5D、三维芯片和芯片切割等领域Primo TSV®是中微推出的首款用于高性能硅通孔刻蚀应用的高密度等离子体硅通孔刻蚀设备每台系统可配置多达三个双反应台的反应腔。
每个反应腔可同时加工两片晶圆中微提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蚀设备，均可刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米、深度可达几百微米的孔洞，并具有工艺协调性，可根据客户的需求产生不同的刻蚀形状（例如垂直、圆锥形和锥形等）。
Primo TSV还具有多种独特的功能，诸如预热反应台、晶圆边缘保护环、低频射频脉冲、侧引入气体均匀化技术等，为TSV应用提供所需的高技术、灵活性和生产能力产品特点电感式耦合高密度等离子体源的双反应台刻蚀腔
高功率射频等离子体源，并具有连续或脉冲的射频偏压具有快速气体转换的内置气箱晶圆边缘保护环制程终端光学控制系统可调节的双发射天线竞争优势具有适合不同应用的工艺调整性高生产力的主机使每台系统的产能最大化同一反应腔内融合了Bosch以及恒稳态制程的工艺性能
可从200mm升级到300mm第七：Primo nanova®为 1X纳米及以下逻辑和存储器件刻蚀应用提供创新的解决方案
Primo nanova®是中微基于电感耦合（ICP）技术研发的12英寸刻蚀设备它可以配置多达六个刻蚀反应腔和两个可选的除胶反应腔其中刻蚀反应腔采用了轴对称设计，具有高反应气体通量ICP发射天线采用了中微具有自主知识产权的低电容耦合3D线圈设计，可实现对离子浓度和离子能量的高度独立控制。
反应腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀材料，以获得更高的工艺重复性和生产率设备还采用了多区细分的高动态范围温控静电吸盘，使加工出的集成电路器件的关键尺寸达到高度均匀性Primo nanova适用于1X纳米及以下的逻辑和存储器件的刻蚀应用。
产品特点轴对称腔体设计低电容耦合3D线圈设计高抽速大容量涡轮泵精密的腔体温控系统先进的高致密性、耐等离子体侵蚀涂层工艺多区细分的高动态范围温控静电吸盘阻抗可调聚焦环设计切换式双频偏压系统可选的集成除胶反应腔
竞争优势离子浓度和离子能量独立可控高排气量和更宽的工艺窗口超凡的刻蚀均匀性优异的高深宽比刻蚀性能高生产效率，低生产成本（CoO）2.MOCVD设备系列第一：Prismo D-BLUE®
首台被主流LED生产线采用并进行大批量LED外延片生产的国产MOCVD设备中微具有自主知识产权的MOCVD设备可配置多达4个反应腔，可以同时加工232片2英寸晶片或56片4英寸晶片，工艺能力还能延展到生长6英寸和8英寸外延晶片。
每个反应腔都可以独立控制，这一设计可以实现卓越的生产灵活性Prismo D-BLUE®是首台被主流LED生产线采用并进行大批量LED和功率器件外延片生产的国产MOCVD设备产品特点串行并行、可灵活切换的反应腔运行模式
创新的实时监控系统精准的参数控制全自动化处理界面友好的操作系统竞争优势优异的工艺重复性和均匀性符合SEMI S2安全标准高良率、高产能和低成本投入简便易行的设备维护第二：Prismo A7®
用于LED外延片大规模量产的MOCVD设备中微具有自主知识产权的MOCVD设备Prismo A7®可配置多达4个反应腔，可以同时加工136片4英寸晶片或56片6英寸晶片，工艺能力还能延展到生长8英寸外延晶片。
每个反应腔都可以独立控制，这一设计可以实现卓越的生产灵活性 中微配备了716毫米托盘的MOCVD设备Prismo A7为LED高产能而设计，是目前业内LED产能最高、单位能耗最低的MOCVD设备Prismo A7每个反应腔的产量是前一代MOCVD设备Prismo D- BLUE®的2倍多。
产品特点串行并行、可灵活切换的反应腔运行模式创新的实时监控系统精准的参数控制全自动化处理界面友好的操作系统竞争优势优异的工艺重复性和均匀性符合SEMI S2安全标准高良率、高产能和低成本投入简便易行的设备维护
第三：Prismo HiT3™
用于深紫外LED外延片量产的MOCVD设备中微具有自主知识产权的MOCVD设备Prismo HiT3TM，是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备，反应腔最高温度可大达1400摄氏度，单炉可生长18片2英寸外延片，并可延申到4英寸晶片。
中微高温MOCVD设备Prismo HiT3专为深紫外LED量产而设计，是目前业内紫外LED产能最高的高温MOCVD设备之一产品特点适用于高温氮化铝和深紫外 LED生长的关键设备优异均匀性和高效能相结合
适合高晶体质量和高AIN生长速率的新颖腔体设计创新的实时监控系统工艺温度最高可达1400度，具有优异的温场均匀性和控制稳定性具有高稳定性、自动化的真空传送系统，抑制颗粒的产生界面友好、全自动化的操作系统
竞争优势优异的工艺重复性和均匀性遵循半导体设计和制造的高标准流程低生产成本，简便易行的设备维护业界领先的UVC LED产能及维护周期3.环保设备VOC净化设备工业用大型VOC净化设备
中微利用分子筛的吸附原理的化学反应器，在国内率先开发制造了工业用大型VOC净化设备设备采用机电一体化、半导体等级的人机防护，具有独特的在线浓度监测功能，能远程实时管理和智能控制，并可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的VOC解决方案。
目前，中微的VOC净化设备已被广泛应用于国内平板显示行业生产线，以改善洁净室的工作环境产品特点与其他同类产品相比，占地面积小、功耗低整合式电气控制柜设计，简化配线和设备布局复合式处理风机设计，保证设备持续高效运行
安全设计符合IEC及相关的标准竞争优势拥有多项专利的VOC浓度在线监测系统多种针对不同VOC环境下的经济运行模式，实现高效运营目的高效的处理能力和低成本的维护投入可根据客户需求，提供定制化的产品专业的信息化模拟团队，为客户提供多种参数模型设计
中微致力于技术创新和产品的差异化；致力于持续开发一系列微观加工的设备，为客户和市场提供性能优越、高生产效率和高性价比的设备解决方案；并通过公司的持续发展给予股东和员工以最好的回报。
公司竞争优势明显，国产替代需求紧迫，未来很是看好随着半导体行业逐渐回暖，半导体产业向国内转移，存储、Foundry等厂商扩产，提升对上游设备的需求；IC制造工艺升级，刻蚀工艺使用频率及技术要求提升中微公司技术领先，客户资源优秀，发布定增预案，拟定增100亿元扩产，未来竞争力将进一步加强，前景可期。
我们上调公司盈利预测，预计公司2020-2022年归母净利润3.37/4.78 /6.84亿元(+0.86/+1.87/+1.32亿元)，EPS 0.63/0.89/1.28 (+0.16/+0.35/ +0.25)，当前股价对应PE 276.3/194.8/136.0倍。
刻蚀设备空间巨大，MOCVD设备前景可期半导体刻蚀设备全球市场规模2019年达115亿美元，CR3超90%，中国市场规模超180亿元，“新应用+产业转移+工艺进步”使国内刻蚀设备厂商获发展良机MOCVD设备：中国已成全球MOCVD设备最大的需求市场，保有量占全球比例超过40%。
目前MOCVD设备下游应用主要为蓝光LED，随技术的进步，MOCVD设备还有望逐步应用在黄红光LED、深紫外LED，以及Mini LED、Micro LED、功率器件等诸多新兴领域，市场规模会有望进一步扩大。
公司核心竞争力强大，持续新品开发，未来增长可期公司技术积累深厚，部分技术已达国际标准，同时汇聚优秀人才与管理团队，客户资源优秀，持续开发高端新品，未来增长可期：（1）公司刻蚀设备已运用在国际知名客户65nm到7nm生产线；公司已开发出5nm刻蚀设备，并已获得批量订单，正在开发更先进工艺（2）公司CCP设备可应用于3D NAND 64层的量产，同时正在开发能够涵盖128层刻蚀以及对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺（3）拓展MOCVD新兴应用领域，深紫外光LED已获领先客户验证成功。
用于Mini LED、Micro LED、功率器件等生产的MOCVD设备正在开发中公司拟定增100亿元扩产，未来竞争力有望进一步提升
深圳鼎盛合科技代理中微全系列芯片产品，可为客户提供软硬件方案设计开发，并提供免费取样服务
.png)
