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2.先进的单晶硅压力传感器技术与封装工艺，精心研制出的一款国际技术的高性能压力变送 器双膜片过载结构，从容应对高过载考验用集成电路与表面封装技术的信号变送模块，性能强大的24位ADC实现高精度与快速应答 显示模块可355°旋转，按键参数。
被测介质的压力作用于单晶硅压力传感器上,通过信号检测电路将其转换为直流电信号,通过信号调理转换为一定幅度的电压信号,经A/D转换为数字量传送至MCU处理,压力及温度信号经微处理器的数据处理,程序运算,并经D/A转换以及HART通信电路处理,。
目前应用较为广泛的压力传感器为压阻式压力传感器,它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。 压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成。采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组。
压力传感器是一种可以用于钢铁、化工等领域对压力进行测量,与压力调节仪配套使用可实现压力自动控制。 原理介绍 扩散硅压力传感器是利用压阻效应原理,采用集成工艺技术经过掺杂、扩散,沿单晶硅片上的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥。
2018年LEEG单晶硅压力变送器在测量精度上再次取得新突破,同年4月推出了万分之五高精度产品,6月推出了单晶硅多参数传感器;2019年4月,上海立格新款LEEG单晶硅压力变送器隔膜产品发布,6月LEEG数字单晶硅压力传感器(敏感模块)发布。
5 德尔森单晶硅 MEMS压力传感器 第一,如果做高端传感器,建议采用高纯度的单晶硅材质,材质的纯度越高,稳定性包括温度影响都越小,而且建议不要采用硅玻璃方式,硅玻璃的成本比较低,但是玻璃的温度特性和形变特性与硅有一定的差距,所以建议采。
MEMS压力传感器是基于MEMS(微机电)技术,建立在微米/纳米基础上,在单晶硅片上刻融制作惠斯登电桥组成的硅应变计,这样制造的压力传感器具有输出灵敏度高,性能稳定,批量可靠性、重复性好等优点。下面从传感器的制作工艺、结构两方面分析一下MEM。
1 传感器原理及封装设计 为了将压力信号转化为电信号采用了应变原理,将惠斯顿检测电桥通过MEMS技术制作在单晶硅片上。使得单晶硅片成为一个集应力敏感与力电转换为一体的敏感元件。如图1所示。
LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介 质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提 高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对。
MEMS压力传感器是汽车中应用最多的传感器之一， 至少有18个汽车应用领域促进压力传感器的增长，包括：轮胎压力，电子稳定控制系统中的刹车传感器，侧面气囊，与日益严格的排放标准相关的引擎控制，大气压力与废气再循环压力。这种传感器用单晶硅。
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