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品玩3月31日讯，在今日下午举行的Realme GT Neo发布会上，联发科5G旗舰天玑1200芯片首次亮相。据介绍，天玑1200芯片采用台积电全新升级的6nm制程工艺，晶体管密度提升18%，功耗降低8%，。
所以在今年，联发科稍有折中，在天玑1200采用了最新的台积电6nm EUV工艺，保证了产能足够的同时，在能效比上也有一定提升。根据台积电的数据显示，在相同的性能条件下，6nm EUV工艺在功。
同样地,realme 真我GT Neo也有一颗强悍的引擎——天玑1200芯片,为真我GT Neo带来了性能、功耗和5G等方面的飞跃。 天玑1200采用了台积电新一代的6nm制程工艺,基于成熟的7nm EUV制程演变。
2020年,联发科发布了天玑1000系列、天玑800系列以及天玑700系列5G芯片,受到了诸多手机厂商的青睐,在全球取得了非常出色的市场销量和口碑。在1月20日下午,联发科也正式推出了它们2021年。
天玑1200首发采用了台积电6nm制程工艺，与7nm相比有着更高的晶体管密度。其CPU部分采用了时下非常流行的1+3+4三丛架构设计，包括一颗主频高达3.0GHz的Arm Cortex-A78超大核，3颗主频为。
这也意味着，其性能提升了约18%，或者在保持同样晶体管数量的情况下，核心的面积可以缩小18%，使得功耗和成本可以进一步降低。联发科表示，相较天玑1000+，天玑1200系列效能提升22%，相。
这两款芯片的安兔兔跑分差距不大,骁龙870芯片手机的安兔兔跑分在66万左右,而联发科天玑1200芯片手机的跑分在70万左右;不过目前搭载联发科天玑1200芯片的手机比较少,因此体验方面还有待。
旗舰芯片天玑1200综合性能实力在5G芯片中被认为处于行业领先的第一梯队,采用台积电6nm新制程工艺,拥有“1+3+4”旗舰级三丛架构设计,晶体管密度提升了18%,性能提升22%,能耗降低25%。最高。
在前段时间,Redmi副总裁卢伟冰就在微博上公开表示,Redmi在准备推出双旗舰芯片平台,同时也将在2021年发力电竞领域,推出Redmi首款旗舰游戏手机,而这首款旗舰手游戏将会首发天玑1200芯片。。
全新的天玑1200集成MediaTek 5G调制解调器,通过德国莱茵TÜV Rheinland认证,支持高性能5G连接,带给用户全场景的高品质5G连网体验。 此次天玑1200采用6nm工艺制程,比第一代7nm增强版晶体。
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